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Sciences naturelles et génie; Génie

François Schiettekatte

Défauts d'implantation dans les semiconducteurs

Professeur titulaire

Faculté des arts et des sciences - Département de physique

Roger-Gaudry, local V233

514 343-6049

francois.schiettekatte@umontreal.ca

Autre numéro : 514 343-6215 (Télécopieur)

Médias

Regroupement québécois des matériaux de pointe

François Schiettekatte est directeur adjoint du Regroupement québécois des matériaux de pointes (RQMP). - ©RQMP

François Schiettekatte est directeur adjoint du Regroupement québécois des matériaux de pointes (RQMP).

Laboratoire de faisceaux d'ions

Lorsqu'on circule dans le gigantesque laboratoire des accélérateurs de particules, au Laboratoire René-J.- A.-Lévesque, on est frappé par la densité des sculptures métalliques de toutes tailles qui s'enchevêtrent à travers les ordinateurs et les modules électroniques. Ici trône le plus puissant accélérateur de faisceaux d'ions du pays, le Tandem, avec ses six millions de volts.

François Schiettekatte - Université

Cette vidéo a été réalisée dans le cadre du projet Paroles de chercheur-es qui a permis de recueillir les impressions de 41 chercheur-es québécois-es sur quatre thématiques liées à l'importance et la fonction de la recherche indépendante dans la société, soient : L'université, La recherche indépendante, La figure de l'intellectuel et Menaces et périls.

François Schiettekatte - Recherche indépendante

Cette vidéo a été réalisée dans le cadre du projet Paroles de chercheur-es qui a permis de recueillir les impressions de 41 chercheur-es québécois-es sur quatre thématiques liées à l'importance et la fonction de la recherche indépendante dans la société, soient : L'université, La recherche indépendante, La figure de l'intellectuel et Menaces et périls.

François Schiettekatte - Figure de l'intellectuel

Cette vidéo a été réalisée dans le cadre du projet Paroles de chercheur-es qui a permis de recueillir les impressions de 41 chercheur-es québécois-es sur quatre thématiques liées à l'importance et la fonction de la recherche indépendante dans la société, soient : L'université, La recherche indépendante, La figure de l'intellectuel et Menaces et périls.

François Schiettekatte - Menaces et périls

Cette vidéo a été réalisée dans le cadre du projet Paroles de chercheur-es qui a permis de recueillir les impressions de 41 chercheur-es québécois-es sur quatre thématiques liées à l'importance et la fonction de la recherche indépendante dans la société, soient : L'université, La recherche indépendante, La figure de l'intellectuel et Menaces et périls.

Portrait

Expertise de recherche

L'implantation ionique est une technique qui permet de modifier la surface des matériaux en y injectant des atomes à la profondeur désirée, et en quantité précise. Elle est largement utilisée pour le dopage des semiconducteurs lors de la fabrication de circuits intégrés à très haute échelle (VLSI). Étant un phénomène fortement hors-équilibre (les atomes incidents ont typiquement des énergies des millions de fois plus élevées que celle des atomes du matériau) l'implantation génère souvent, à l'échelle atomique, de nouvelles structures qui peuvent, selon le cas, être exploitées pour améliorer les performances de matériaux de haute technologie, ou constituer un problème à contourner.

Par exemple, pendant le dopage, l'implantation engendre des défauts dans les semiconducteurs en déplaçant des atomes du cristal, ce qui est néfaste pour les circuits intégrés. Si le nombre de défauts n'est pas trop élevé, le dommage pourra être corrigé par recuit thermique et le dopant activé. Toutefois, si la densité de défauts dépasse un certain seuil, des dommages permanents apparaîtront dans le matériau et peuvent rendre inutilisables les dispositifs.

À l'inverse, l'implantation ionique génère des défauts qui peuvent être utilisés pour modifier les matériaux. En effet, l'implantation permet de créer, près de la surface, des défauts qui peuvent par la suite diffuser dans le matériau et modifier la composition de couches enfouies par interdiffusion. On peut ainsi changer la longueur d'onde d'émission de puits ou points quantiques et les propriétés de couches magnétiques.

Les faisceaux d'ions permettent en outre de mesurer de façon quantitative et extrêmement sensible la distribution en profondeur des atomes dans un matériau. Nous disposons dans nos laboratoires de plusieurs techniques d'analyse par faisceaux d'ions, notamment la Détection de Reculs Élastiques (ERD), technique inventée dans nos laboratoires dans les années 70, ainsi que l'analyse par Spectrométrie de Rétrodifussion Rutherford (RBS), la canalisation (RBS channeling) et l'Analyse par Réactions Nucléaires Résonnantes (NRRA).

Biographie

François Schiettekatte fait partie du groupe de matière condensée du département de physique de l'Université de Montréal. Il est entre autres spécialiste en analyse et modification des matériaux par faisceaux d'ions et en mesure de l’évolution thermique des nanostructures par nanocalorimétrie. Il est co-directeur du Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces (31 professeurs, 200 personnes au total). Expert régulièrement invité dans des conférences internationales, il a fait partie de différents comités internationaux notamment auprès de l’AIEA.

Affiliations et responsabilités

Enseignement et encadrement

Encadrement

Thèses et mémoires dirigés (dépôt institutionnel Papyrus)

2019

Relaxation et cristallisation du verre mou de chalcogénure Ge2Sb2Te5 après impact d’ions lourds à basse énergie

Diplômé(e) : Nozard, Hantz
Cycle : Maîtrise
Diplôme obtenu : M. Sc.
2018

Évolution des défauts dans les fibres optiques irradiées

Diplômé(e) : Laplante, Caroline
Cycle : Maîtrise
Diplôme obtenu : M. Sc.
2016

Effets des recuits ultra-rapides (10^5 K/s) sur la formation des siliciures métalliques en phase solide

Diplômé(e) : Guihard, Matthieu
Cycle : Doctorat
Diplôme obtenu : Ph. D.
2016

Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

Diplômé(e) : Vincent, Louis
Cycle : Maîtrise
Diplôme obtenu : M. Sc.
2011

Mécanismes de recuit dans le silicium implanté par faisceau d’ion caractérisés par nanocalorimétrie

Diplômé(e) : Anahory, Yonathan
Cycle : Doctorat
Diplôme obtenu : Ph. D.
2011

Structures photoniques à base de nanocristaux de silicium

Diplômé(e) : Bibeau-Delisle, Alexandre
Cycle : Maîtrise
Diplôme obtenu : M. Sc.
2009

Étude de phase des systèmes Ni/Si-endommagé et Ni/a-Si, par XRD résolue en temps et nanocalorimétrie

Diplômé(e) : Guihard, Matthieu
Cycle : Maîtrise
Diplôme obtenu : M. Sc.
2006

Étude de l'évolution thermique du dommage d'implantation dans le silicium par nanocalorimétrie

Diplômé(e) : Karmouch, Rachid
Cycle : Doctorat
Diplôme obtenu : Ph. D.
2005

Relaxation du silicium amorphe étudiée par nanocalorimétrie

Diplômé(e) : Mercure, Jean-François
Cycle : Maîtrise
Diplôme obtenu : M. Sc.

Projets

Projets de recherche

2015 - 2023

CALCUL QUEBEC

Chercheur principal : Paul Charbonneau , Timothée Poisot
Co-chercheurs : Jesse Shapiro , Mohamed Hijri , Daniel Sinnett , Mark E. Samuels , Laurent J. Lewis , Normand Mousseau , Anne Bruneau , Georges Michaud , François Schiettekatte , Rémy Sauvé , Michel Côté , Pierre-Louis Bellec , Damian Labuda , Jacques Drouin , Louis Jean Dubé , Guy Dumas , Marc Parizeau , Louis Pérusse , Alain De Champlain , Daniel Reinharz , Hugo Martel , Christian Gagné , Arnaud Droit , Frédéric Maps , R Platt , Alan C Evans , W Robert J Funnell , Hong Guo , Victoria Kaspi , Sang Yong Jeon , Nikolas Provatas , Russell Davidson , Jackalyn Marie Vogel , Nicolas Moitessier , Guy Moore , Sivakumaran Nadarajah , Abdelkader Baggag , Erica Moodie , Jacek A. Majewski , Andrew Piper , Luc Mongeau , Guillaume Bourque , Stefan Sinclair , Daniel Joseph Kirshbaum , Jun Song , Brigitte Jaumard , Jean-Yves Trépanier , François Guibault , François Bertrand , Alain Rochefort , Frédéric Sirois , Éric Laurendeau , Georges Dionne , Wagdi Habashi , G. Peslherbe , Thomas Fevens , Marius Paraschivoiu , Ali Dolatabadi , André Dieter Bandrauk , André-Marie Tremblay , Pierre Proulx , Noureddine Atalla , David Sénéchal , Armand Soldera , Kalifa Goïta , Alexandre Blais , Claude Legault , Stéphane Moreau , Hugo Larochelle , Pierre-Étienne Jacques , Gabriel Crainic , René Laprise , Pierre Gauthier , Laxmi Sushama , Simon Guillotte , Adam Skorek , Patrizio Antici , Dany Dumont , François Vidal , Jannette Frandsen , Lorne Archie Nelson , Martin Aube , Leandro Coelho
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PVXXXXXX-(RS) Programme de regroupements stratégiques
2019 - 2022

Regroupement québécois sur les matériaux de pointe ( RQMP )

Chercheur principal : François Schiettekatte
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PVXXXXXX-(RS) Programme de regroupements stratégiques
2014 - 2022

EVOLUTION OF NANOSCALE GLASSES

Chercheur principal : François Schiettekatte
Sources de financement : CRSNG/Conseil de recherches en sciences naturelles et génie du Canada (CRSNG)
Programmes de subvention : PVX20965-(RGP) Programme de subvention à la découverte individuelle ou de groupe
2020 - 2021

Bourse de stage international - Mané Seck / Regroupement québécois sur les matériaux de pointe ( RQMP )

Chercheur principal : François Schiettekatte
Co-chercheurs : Polytechnique Transfert
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PVXXXXXX-Bourse de stage international relié aux regroupements stratégiques
2020 - 2021

Bourse de stage international - Megan Cowie / Regroupement québécois sur les matériaux de pointe ( RQMP )

Chercheur principal : François Schiettekatte
Co-chercheurs : UMcGill Transfert
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PVXXXXXX-Bourse de stage international relié aux regroupements stratégiques
2017 - 2021

Regroupement québécois sur les matériaux de pointe (RQMP) Hosted by McGill 2017-2021

Chercheur principal : Michael Hilke
Co-chercheurs : François Schiettekatte
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PVXXXXXX-(RS) Programme de regroupements stratégiques
2015 - 2021

Regroupement québécois sur les matériaux de pointe

Chercheur principal : Louis L. Taillefer
Co-chercheurs : François Schiettekatte
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PVXXXXXX-(RS) Programme de regroupements stratégiques
2016 - 2020

Plateforme d'iinovation en procédés plasma avec caractérisation in-plasma des matériaux et nanomatériaux

Chercheur principal : François Schiettekatte
Sources de financement : FCI/Fondation canadienne pour l'innovation
Programmes de subvention : PVXXXXXX-Fonds d'innovation
2013 - 2016

REGROUPEMENT QUEBECOIS SUR LES MATERIAUX DE POINTE (RQMP)

Chercheur principal : François Schiettekatte
Co-chercheurs : Louis L. Taillefer
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PVXXXXXX-(RS) Programme de regroupements stratégiques
2013 - 2016

DEVELOPMENT OF GERMANIUM FIBER BRAGG GRATINGS AND ER-DOPED FIBER AMPLIFIERS FOR OPERATION IN HARSH ENVIRONMENTS

Chercheur principal : Federico Rosei
Co-chercheurs : François Schiettekatte
Sources de financement : CRSNG/Conseil de recherches en sciences naturelles et génie du Canada (CRSNG) , CRSNG/Conseil de recherches en sciences naturelles et génie du Canada (CRSNG)
Programmes de subvention : PVX20967-(SPS/SPG) Subventions de projets stratégiques ,
2012 - 2016

DETECTEURS TERAHERTZ A BASE D'INGAASP ET SYSTÈME D'IMAGERIE THZ EN CHAMP PROCHE

Chercheur principal : Denis Morris
Co-chercheurs : François Schiettekatte
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PV113724-(PR) Projets de recherche en équipe (et possibilité d'équipement la première année)
2009 - 2016

REGROUPEMENT STRATEGIQUE - REGROUPEMENT QUEBECOIS SUR LES MATERIAUX DE POINTE (RQMP)

Chercheur principal : Sjoerd Roorda
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PVXXXXXX-(RS) Programme de regroupements stratégiques
2009 - 2016

REGROUPEMENT QUEBECOIS SUR LES MATERIAUX DE POINTE - RQMP

Chercheur principal : Sjoerd Roorda
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PVXXXXXX-(RS) Programme de regroupements stratégiques
2012 - 2015

DETECTEURS TERAHERTZ A BASE D'INGAASP ET SYSTÈME D'IMAGERIE THZ EN CHAMPS PROCHE

Chercheur principal : Denis Morris
Co-chercheurs : François Schiettekatte
Sources de financement : FRQNT/Fonds de recherche du Québec - Nature et technologies (FQRNT)
Programmes de subvention : PV113724-(PR) Projets de recherche en équipe (et possibilité d'équipement la première année)
2011 - 2015

CANADIAN CHARGED PARTICLE ACCELERATOR CONSORTIUM (CCPAC)

Chercheur principal : Sjoerd Roorda
Sources de financement : CRSNG/Conseil de recherches en sciences naturelles et génie du Canada (CRSNG)
Programmes de subvention : PVXXXXXX-(ARM/MRS) Appui aux ressources majeures - Major resources support
2001 - 2015

DEVELOPING METHODS OF ULTRATHIN FILMS CHARACTERISATION: NANOCALORIMETRY AND ION BEAM ANALYSIS

Chercheur principal : François Schiettekatte
Sources de financement : CRSNG/Conseil de recherches en sciences naturelles et génie du Canada (CRSNG)
Programmes de subvention : PVX20965-(RGP) Programme de subvention à la découverte individuelle ou de groupe
2008 - 2014

GROUPE DE RECHERCHE EN PHYSIQUE ET TECHNOLOGIE DES COUCHES MINCES (GCM) - INSTALLATION CENTRALE POUR LA FABRICATIONET LA CARACTERISATION DES MATERIAUX ET DISPOSITIFS DE POINTE

Chercheur principal : Michel Lafleur
Co-chercheurs : Richard Martel , Richard Leonelli , Sjoerd Roorda , François Schiettekatte , Antonella Badia , Patrick Desjardins
Sources de financement : Prima Québec
Programmes de subvention :
2009 - 2013

DEVELOPING METHODS OF ULTRATHIN FILMS CHARACTERISATION: NANOCALORIMETRY AND ION BEAM ANALYSIS

Chercheur principal : François Schiettekatte
2011 - 2012

ALUMINUM ADHESION OF POLYETHYLENE TEREPHTHALATE

Chercheur principal : François Schiettekatte

Rayonnement

Publications et communications

Publications

Articles publiés ou acceptés

  1. L.K. Béland, Y. Anahory, D. Smeets, M. Guihard, P. Brommer, J.-F. Joly, J.-C. Pothier, L.J. Lewis, N. Mousseau, F. SchiettekatteReplenish and Relax: Explaining Logarithmic Annealing in Ion-Implanted c-Si, Phys. Rev. Lett. 111 (2013) 105502
  2. P. Turcotte-Tremblay, M. Guihard, S. Gaudet, M. Chicoine, C. Lavoie, P. Desjardins, F. SchiettekatteThin film Ni-Si solid-state reactions: Phase formation sequence on amorphized Si, J. Vac. Sci. Technol. B 31 (2013) 051213
  3. F. Schiettekatte, Tails, Nucl. Instrum. Meth. B, revised version submitted (2013/11)
  4. A. Fekecs, M. Chicoine, B. Ilahi, F. Schiettekatte, P.G. Charette, R. Ares, Towards semi-insulating InGaAsP/InP layers by post-growth processing using Fe ion implantation and rapid thermal annealing, J. Phys. D: Appl. Phys 46 (2013) 165106
  5. M. Molina-Ruiz, A. F. Lopeandía, M. González-Silveira, Y. Anahory, M. Guihard, G. Garcia, M. T. Clavaguera-Mora, F. Schiettekatte, J. Rodríguez-Viejo, Formation of Pd2Si on single-crystalline Si (100) at ultrafast heating rates: An in-situ analysis by nanocalorimetry, Appl. Phys. Lett. 102(2013) 143111
  6. A. Fekecs, M. Bernier, D. Morris, M. ChicoineF. Schiettekatte, P. Charette, and R. Arès, Fabrication of high resistivity cold-implanted InGaAsP photoconductors for efficient pulsed terahertz devices, Optical Materials Express 1 (2011) 1165
  7. M. Mayer, W. Eckstein, H. Langhuth, F. Schiettekatte, U. von Toussaint, Computer Simulation of Ion Beam Analysis: Possibilities and Limitations. Nucl. Instrum. Meth. B 269 (2011) 3006
  8. J.-C. Pothier, F. Schiettekatte, L.J. Lewis, Flowing damage in ion-implanted amorphous silicon, Phys. Rev. B 83 (2011) 235206
  9. L. Hu, L. de la Rama, M. Efremov, Y. Anahory, F. Schiettekatte, L. H. Allen, Leslie, Synthesis and Characterization of Single-Layer Silver-Decanethiolate Lamellar Crystals, J. Amer. Chem. Soc. 133 (2011) 4367
  10. Y. Anahory, M. Guihard, D. Smeets, R. KarmouchF. Schiettekatte, Ph. Vasseur, P. Desjardins, Liang Hu, L.H. Allen, E. Leon-Gutierrez, J. Rodriguez-Viejo, Fabrication, characterization and modeling of single-crystal thin film calorimeter sensors, Thermochim. Acta 510 (2010) 126.
  11. H. Kallel N. Mousseau, F. SchiettekatteEvolution of the Potential-Energy Surface of Amorphous Silicon Phys. Rev. Lett. 105 (2010) 045503.
  12. D. Barba, D. Koshel, F. Martin, G.G. Ross, M. Chicoine, F. Schiettekatte, M. Yedji, J. Demarche, G. Terwagne, Silicon nanocrystal synthesis by implantation of natural Si isotopes, J. Luminescence 130 (2010) 669.
  13. R. Kumaran, S.E. Webster, S. Penson, W. Li, T. Tiedje, P. Wei, F. SchiettekatteEpitaxial neodymium-doped sapphire films, a new active medium for waveguide lasers, Optics Lett. 34 (2009) 3358.
  14. O. Moutanabbir, YJ. Chabal, M. Chicoine, S. Christiansen, R. Krause-Rehberg, F. Schiettekatte, R. Scholz, O. Seitz, S. Senz, F. Süßkraut, U. Gösele, Mechanisms of ion-induced GaN thin layer splitting, Nucl. Instr. Meth. B267 (2009) 1264.
  15. M. Guihard, P. Turcotte-Tremblay, S. Gaudet, C. Coia, S. Roorda, P. Desjardins, C. Lavoie, F. Schiettekatte, Controlling nickel silicide phase formation by Si implantation damage, Nucl. Instr. Meth. B267 (2009) 1285.
  16. J.-F. Desjardins, M. Chicoine, F. Schiettekatte, D. Barba, F. Martin, G.G. Ross, Impact of Ni co-implantation on Si nanocrystals formation and luminescence, Nucl. Instr. Meth. B267 (2009) 1317.
  17. I.B. Radovic, M. Jaksic, F. SchiettekatteTechnique for sensitive carbon depth profiling in thin samples using C-C elastic scattering24 (2009) 194.
  18. F. SchiettekatteFast Monte Carlo for Ion Beam Analysis Simulations, Nucl. Instr. Meth. B266 (2008) 1880.
  19. C. Dion, P. Desjardins, F. Schiettekatte, M. Chicoine, M. D. Robertson, N. Shtinkov, P. J. Poole, X. Wu, S. Raymond, Vacancy-mediated intermixing in InAs/InP(001) quantum dots subjected to ion implantation, J. Appl. Phys. 104, (2008) 043527.
  20. O. Moutanabbir, R. Scholz, S. Senz, U. Gösele, M. ChicoineF. Schiettekatte, F. Süßkraut, R. Krause-Rehberg, Microstructural evolution in H ion induced splitting of freestanding GaN, Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 031916
  21. P.J. Simpson, A.P. Knights, M. Chicoine, K. Dudeck, O. Moutanabbir, S.Ruffell, F. Schiettekatte, B. Terreault, Thermal evolution of defects produced by implantation of H, D and He in Silicon, App. Surf. Sci. 255 (2008) 63.
  22. N. Desrosiers, A. Giguère, B. Terreault, M. ChicoineF. SchiettekatteImplantation effects of low energy H and D ions in germanium at -120 °C and room temperature. Nucl. Instr. Meth. B266 (2008) 1880
  23. C. Dion, P. Desjardins, N. Shtinkov, F. Schiettekatte, P. J. Poole, and S. Raymond, Effects of grown-in defects on interdiffusion dynamics in InAs/InP(001) quantum dots subjected to rapid thermal annealing, J. Appl. Phys. 103 (2008) 083526
  24. C. Dion, P. Desjardins, N. Shtinkov, M. D. Robertson, F. Schiettekatte, P. J. Poole, S. Raymond, Intermixing during growth of InAs self-assembled quantum dots in InP: A photoluminescence and tight-binding investigation, Phys. Rev. B77 (2008)075338
  25. L. Stafford, W.T. Lim, S.J. Pearton, Ju-Il Song, J.-S. Park, Y.-W. Heo, J.-H. Lee, J.-J. Kim, M. ChicoineF. SchiettekatteDeep etch-induced damage during ion-assisted chemical etching of sputtered indium-zinc-oxide films in Ar/CH4/H2 plasmas, Thin Solid Films 516 (2008) 2869
  26. L. Stafford, W.T. Lim, S.J. Pearton, M. ChicoineF. Schiettekatte, J.-I. Song, J.-S. Park, Y.W. Heo, J.-H. Lee, J.-J. Kim, I.I. Kravchenko, Influence of the film properties on the plasma etching dynamics of rf-sputtered indium-zinc-oxide layers, J. Vac. Sci. Technol. A25 (2007) 659
  27. R. Karmouch, Y. Anahory, J.-F. Mercure, D. Bouilly, M. Chicoine, G. Bentoumi, R. Leonelli, Y.Q. WangF. SchiettekatteDamage evolution in low-energy-ion implanted silicon, Phys. Rev. B75 (2007) 075304
  28. O. Moutanabbir, B. Terreault, M. ChicoineF. Schiettekatte, P. J. Simpson, Influence of isotopic substitution and He coimplantation on defect complexes and voids induced by H ions in silicon, Phys. Rev. B75 (2007) 075201
  29. C. Dion, P. Desjardins, M. ChicoineF. Schiettekatte, P.J. Poole, S. Raymond, Drastic ion-implantation-induced intermixing during annealing of self-assembled InAs/InP(001) quantum dots, Nanotechnology 18 (2007) 015404
  30. P. Wei, S.C. Gujrathi, M. GuihardF. SchiettekatteCross-section for 14N(α, p0)17O reaction in the energy range 3.2–4.0 MeV, Nucl. Instrum. Meth B249 (2006) 85.

Communications

Comptes-rendus de conférences

(depuis 2000)

  1. F. SchiettekatteSimulation of Multiple Scattering Effects on CoincidenceAIP Conf. Proc. 1099 (2009) 314.
  2. C. Dion, P. Desjardins, F. Schiettekatte, M. Chicoine, P. J. Poole, S. Raymond, Tuning the Electronic Properties of Self-Assembled InAs/InP(001) Quantum Dots, Meet. Abstr. Electrochem. Soc. 602 (2006) 1269.
  3. O. Moutanabbir, B. Terreault, N. Desrosiers, A. Giguère, G. G. Ross, M. ChicoineF. Schiettekatte, Hydrogen Cleaving of Silicon at the Sub-100-nm Scale AIP Conf. Proc. 772 (2005) 1491
  4. M. Chicoine, A. Francois, C. Tavares, S. Chevobbe, F. Schiettekatte, V. Aimez, J. Beauvais, J. Beerens, Effects of damage accumulation on quantum well intermixing by low-energy ion implantation in photonic devices, SPIE 5260 (2004) 423
  5. R. Taillefer, P.Desjardins, F. SchiettekatteA Finite Element Model of Ultra-Sensitive Thin Film Calorimeters for the Study of Size-Dependent Thermodynamical Properties of Materials at the Nanoscale, Proceedings of the first Annual Northeast Workshop on Circuits and Systems (IEEE-NEWCAS2003), Montreal, Canada, June 2003, pp. 129-132.
  6. F. Schiettekatte, V. Aimez, M. Chicoine, S. Chevobbe, J.F. Chabot, J.F. Rajotte. Low energy ion implantation induced intermixing in photonic devices: defects profiling and evolution, Proceedings of the 17th Conference on the Application of the Accelerators in Research and Industry. AIP Conf. Proc. 680 (2003) 609
  7. M. Zhang, M. Yu. Efremov, F. Schiettekatte, E. A. Olson, and L. H. Allen. "Magic" Nanostructures During The Early Stage of Thin Film Growth 2001 Spring Meeting Proceedings 672 (2001) O5.3, Material Research Society
  8. S. Roorda, F. Schiettekatte, M. Cai, T. Veres, A. Tchebotareva. MeV ion implantation for modification of electronic, optical, and magnetic materials SPIE 3413 (1998) 165
  9. F. Schiettekatte, G.G. Ross. ERD spectrum to depth profile conversion program for Windows. Proceeding of the 14th International Conference on the Applicationof Accelerators in Research and Industry. AIP Conf. Proc. 392 (1997) 711
  10. D. Kéroack, F. Schiettekatte, B. Terreault, G.G. Ross. Laser Desorption and Depth Profiling Study of H and D in Implanted Be. Proceedings of International Conference on Fusion Reactor Materials. (1993) Stresa (Italy).

Disciplines

  • Physique
  • Génie des matériaux et génie métallurgique

Champ d’expertise

  • Science des matériaux
  • Défaut et impuretés dans les couches minces: dopage et implantation
  • Diffusion atomique, moléculaire et ionique
  • Dépôt par pulvérisation
  • Cinétique de formation et de recuit des défauts
  • Impact atomiques, moléculaires et ioniques sur les surfaces
  • Capacité calorifique des solides amorphes et des verres
  • Matériaux nanostructurés : fabrication et caractérisation